北京
【CNMO科技消息】在深圳举行的2026全球存储创新论坛上，三星半导体发布了两款面向下一代企业级应用的固态硬盘BM1773与PM1763，同时公布了刷新层数纪录的V10 NAND以及面向端侧AI的zNAND-O。这一组合覆盖了从超大规模数据中心到本地设备运行大模型的完整场景。
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BM1773定位为数据中心服务器的高容量存储方案。这是一款超高密度QLC固态硬盘，最高容量可达256TB，却仍采用紧凑的E3.S规格。硬件层面，它基于三星第九代高密度NAND闪存（V9Q 2Tb），运行在16通道PCIe 5.0架构之上，顺序读取速度最高4.5GB/s，随机写入速度最高50000 IOPS。与上一代QLC产品相比，BM1773的总写入字节数（TBW）耐久度提升了一倍，额定为每天0.6次全盘写入（DWPD）。
这款产品还引入了智能晶粒失效恢复机制。当单颗存储晶粒出现故障时，硬盘会继续正常工作，而不会像以往那样让整块SSD进入受限的只读状态——对于承载大量数据的服务器来说，这一点的实际意义不小。安全与合规方面，BM1773支持CNSA 2.0，并具备FIPS子芯片认证。
PM1763则是一款面向高性能企业级负载的产品，采用PCIe 6.0接口。其顺序读取速度最高可达28.4GB/s，写入速度最高21GB/s，均为上一代硬件的两倍。容量覆盖4TB至64TB，提供E1.S、E3.S与U.2三种规格。除速度之外，PM1763的能效较前代提升1.8倍，并针对当前的液冷方案做了适配。安全特性包括CNSA 2.0、后量子密码（PQC）、SPDM以及基于TDISP的加密，用于保护服务器上的敏感工作负载。
NAND层面，三星公布了V10 NAND，这是业界首款堆叠层数超过400层的闪存。与以往几代相比，V10的数据密度提升58%，传输速度提升33%，功耗则降低25%，三项指标同时改善，意味着在同样的空间内可以放入更多容量，同时减少单位数据的能耗。
面向边缘与端侧AI场景，三星展示了zNAND-O。这一定位为传统DRAM与闪存之间高速桥梁的产品，数据密度达到DRAM的10倍，能够让笔记本电脑、智能手机、平板等设备以低得多的成本在本地运行大型AI模型。
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